Dalam setiap kasus, simbol delta ( ¢ ) menandakan perubahan besaran tersebut. Pembilang dari setiap
persamaan adalah perubahan arus kolektor sebagaimana ditetapkan oleh perubahan pada kuantitas dalam denominator. Untuk konfigurasi tertentu, jika terjadi perubahan ICO menghasilkan perubahan IC yang signifikan, faktor kestabilan yang didefinisikan oleh S(ICO) = IC>ICO
Untuk RB>RE Wb, Persamaan. (4.94) direduksi menjadi sebagai berikut:
Hasil menunjukkan bahwa konfigurasi bias emitor cukup stabil ketika rasio R B>R E adalah sekecil mungkin dan paling tidak stabil ketika rasio yang sama mendekati b.
4. Example [kembali]
4.1 Hitung faktor stabilitas dan perubahan I C dari 25°C menjadi 100°C untuk
transistor yang ditentukan oleh Tabel 4.2 untuk pengaturan bias-emitor berikut:
a. RB>RE = 250 (RB = 250RE).
b. RB>RE = 10 (RB = 10RE).
c. RB>RE = 0.01(RE = 100RB).
jawaban :
4.2 Tentukan faktor kestabilan S ( V BE ) dan perubahan I C dari 25°C menjadi
100°C untuk transistor yang ditentukan oleh Tabel 4.2 untuk pengaturan bias berikut.
a. Fixed-bias with RB = 240 k and b 100.
b. Emitter-bias with RB = 240 k, RE = 1 k, and b 100.
c. Emitter-bias with RB = 47 k, RE = 4.7 k, and b 100.
jawaban :
b. Dalam hal ini, β = 100 dan RB>RE = 240. Kondisi b W RB>RE tidak terpenuhi,
meniadakan penggunaan Persamaan. (4.105) dan membutuhkan penggunaan Persamaan. (4.104).
yang sekitar 30% lebih kecil dari nilai bias tetap karena istilah R E tambahan di
penyebut persamaan S(V BE). Kita punya
c.
4.3 Tentukan ICQ pada temperatur 100°C jika ICQ = 2 mA pada 25°C untuk
konfigurasi bias emitor. Gunakan transistor yang dijelaskan pada Tabel 4.2 , di mana b1 = 50 dan
b2 = 80, dan rasio resistansi R B>R E sebesar 20.
Kesimpulannya, oleh karena itu, arus kolektor berubah dari 2 mA pada suhu kamar menjadi
2,25 mA pada 100°C, menunjukkan perubahan sebesar 12,5%.
5. Problem [kembali]
5.1 Tentukan jaringan berikut untuk Gambar 4.118 :
A. S (ICO).
B. S(V BE ).
C. S (b), menggunakan T1 sebagai suhu di mana nilai parameter ditentukan dan b( T2 ) sebagai
25% lebih dari b( T1 ).
D. Tentukan perubahan bersih I C jika perubahan kondisi operasi menyebabkan I CO meningkat
dari 0,2 mA menjadi 10 mA, VBE turun dari 0,7 V menjadi 0,5 V, dan b meningkat 25%.
jawaban :
5.2 Untuk jaringan pada Gambar 4.122 , tentukan:
A. S (ICO).
B. S(V BE ).
C. S (b), menggunakan T1 sebagai suhu di mana nilai parameter ditentukan dan b( T2 ) sebagai
25% lebih dari b( T1 ).
D. Tentukan perubahan bersih I C jika perubahan kondisi operasi menyebabkan I CO meningkat
dari 0,2 mA menjadi 10 mA, VBE turun dari 0,7 V menjadi 0,5 V, dan b meningkat 25%.
jawaban :
5.3 Untuk jaringan pada Gambar 4.125 , tentukan:
A. S (ICO).
B. S(V BE ).
C. S (b), menggunakan T1 sebagai suhu di mana nilai parameter ditentukan dan b( T2 ) sebagai
25% lebih dari b( T1 ).
D. Tentukan perubahan bersih I C jika perubahan kondisi operasi menyebabkan I CO meningkat
dari 0,2 mA menjadi 10 mA, VBE turun dari 0,7 V menjadi 0,5 V, dan b meningkat 25%.
jawaban :
6. Pilihan Ganda [kembali]
6.1 (a) RB/RE = 250
(b) RB/RE = 10
(c) RB/RE = 0.01
Tentukan nilai perubahan Ic dari 25 °C ke 100 °C berdasarkan tabel 4.1 untuk masing -masing kondisi di atas...
A. 0.18 μA; 20.1 nA; 0.85 μA
B. 20.1 μA; 0.85 nA; 0.18 nA
C. 0.85 μA; 0.18 μA; 20.1 nA
D. 0.85 nA; 0.18 nA; 20.1 μA
Jawaban : C
Solusi:
Diketahui: β = 50
ΔICO = 20nA – 0.1nA = 19.9nA
(a) S(ICO) = (β + 1) * (1 + (RB/RE)/(1 + β + RB/RE)
= 51 * ((1 + 250)/(51+250))
= 42.53
ΔIC = S(ICO) * ΔICO
= 42.53 * 19.9nA
= 0.85 µA
(b) S(ICO) = (β + 1) * (1 + (RB/RE)/(1 + β + RB/RE)
= 51 * ((1 + 10)/(51+10))
= 9.2
ΔIC = S(ICO) * ΔICO
= 9.2 * 19.9nA
= 0.18 µA
(c) S(ICO) = (β + 1) * (1 + (RB/RE)/(1 + β + RB/RE)
= 51 * ((1 + 0.01)/(51+0.01))
= 1.01
ΔIC = S(ICO) * ΔICO
= 1.01 * 19.9nA
= 20.1 nA
6.2 (a) Fixed-Bias dengan RB = 240 kΩ dan β = 100
(b) Emitter-Bias dengan RB = 240 kΩ, RE = 1 kΩ, dan β = 100
(c) Emitter-Bias dengan RB = 47 kΩ, RE = 4.7 kΩ, dan β = 100
Tentukan nilai perubahan Ic dari 25 °C ke 100 °C berdasarkan tabel 4.1 untuk masing-masing kondisi di atas...A. 70.9 μA; 50 μA; 36.04 μAB. 70.9 nA; 36.04 μA; 50 nAC. 50 μA; 70.9 μA; 36.04 nAD. 50 nA; 36.04 nA; 70.9 nA
Jawaban : A
Solusi:
(a) S(VBE) = - β / RB
= - 100/240k
= - 0.417 * 10-3
ΔIC = S(VBE) * ΔVBE
= (-0.417 * 10-3) * (0.48-0.65)
= 70.9 µA
(b) S(VBE) = - β / (RB + (β + 1) * RE )
= - 100/ (240k + (101 * 1k) )
= - 0.293 * 10-3
ΔIC = S(VBE) * ΔVBE
= (-0.293 * 10-3) * (0.48-0.65)
= 50 µA
(c) S(VBE) = - 1 / RE
= - 1/4.7k
= - 0.212 * 10-3
ΔIC = S(VBE) * ΔVBE
= (-0.212 * 10-3) * (0.48-0.65)
= 36.04 µA
6.3 Tentukan nilai perubahan Ic saat suhu 100 °C jika ICO = 2 mA saat suhu 25 °C berdasarkan tabel 4.1, dimana β1 = 50 dan β2 = 80 dan RB/RE = 20 ...
A. 0.06 mAB. 0.10 mAC. 0.15 mAD. 0.25 mA
Jawaban : D
Solusi:
S(β) = (ICO * (1 + RB/RE) ) / (β1 * (1 + β2 + RB/RE) )
= ( (2*10-3) * (1+20) ) / (50 * (1+ 80+20) )
= 8.32 * 10-6
ΔIC = S(β) * Δ β
= (8.32 * 10-6) * (30)
= 0.25 mA
7. Gambar Rangkaian dan Vidio [kembali]
7.1 rangkaian 4.101 (c)
7.2 rangkaian 4.101 (d)
8. Download File [kembali]
Komentar
Posting Komentar